收藏本站

New Product
SUD19P06-60L
Vishay Siliconix
P-Channel 60-V (D-S) 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V DS (V) r DS(on) ( Ω )
0.060 at V GS = - 10 V
- 60
0.077 at V GS = - 4.5 V
I D (A)
- 19
- 16.8
Q g (Typ)
26
FEATURES
? TrenchFET ? Power MOSFET
? 175 °C Junction Temperature
RoHS
COMPLIANT
TO-252
Drain Connected to Ta b
G
S
G
D
S
Top V ie w
Orderin g Information: SUD19P06-60L-E3 (Lead (P b )-free)
D
P-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
Limit
- 60
± 20
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 175 °C)
Pulsed Drain Current
T C = 25 °C
T C = 125 °C
I D
I DM
- 19
- 11
- 30
A
Avalanche Current, Single Pulse
Repetitive Avalanche Energy, Single Pulse
Power Dissipation
a
L = 0.1 mH
T C = 25 °C
T A = 25 °C
I AS
E AS
P D
- 22
24.2
46 c
2.7 b, c
mJ
W
Operating Junction and Storage Temperature Range
T J , T stg
- 55 to 175
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Junction-to-Ambient b
Junction-to-Case
t ≤ 10 s
Steady State
R thJA
R thJC
17
45
2.7
21
55
3.25
°C/W
Notes:
a. Duty cycle ≤ 1 %.
b. When monuted on 1" square PCB (FR-4 material).
c. See SOA curve for voltage derating.
Document Number: 73103
S-71660-Rev. B, 06-Aug-07
www.vishay.com
1
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SUD23N06-31-T4-GE3 MOSFET N-CH D-S 60V TO252
SUD23N06-31L-E3 MOSFET N-CH D-S 60V TO252
SUD25N15-52-T4-E3 MOSFET N-CH D-S 150V TO252
SUD35N05-26L-E3 MOSFET N-CH D-S 55V TO252
SUD40N02-08-E3 MOSFET N-CH D-S 20V TO252
SUD50N02-09P-E3 MOSFET N-CH D-S 20V DPAK
SUD50N03-06P-E3 MOSFET N-CH D-S 30V TO252
SUD50N03-09P-GE3 MOSFET N-CH D-S 30V TO252
相关代理商/技术参数
SUD20N10-66L-GE3 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:N-CH MOSFET DPAK (TO-252) 100V 66MOHM @ 10V - Tape and Reel 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:N-Ch MOSFET DPak (TO-252) 100V 66mohm @ 10V
SUD23N06 制造商:SHENZHENFREESCALE 制造商全称:ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd 功能描述:N-Channel 60 V (D-S) 175 ?°C MOSFET
SUD23N06-31 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 60-V (D-S), MOSFET
SUD23N06-31_08 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 60-V (D-S), MOSFET
SUD23N06-31_11 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 60 V (D-S), MOSFET
SUD23N06-31-GE3 功能描述:MOSFET N-Ch MOSFET 60V 31 mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SUD23N06-31L 功能描述:MOSFET 60V 23A 100W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SUD23N06-31L-E3 功能描述:MOSFET 60V 23A 100W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube